Name: STGW39NC60VD
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM5712833
Price: 31.56 USD
Availability: InStock

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STGW39NC60VD ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STGW39NC60VD
百芯编号#:
CM5712833
价格(CNY):
￥

31.56
百芯库存:
2,250 个
库存地点:
可供应量:
1,405 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
产品描述:
IGBT Single Transistor, 80A, 2.5V, 250W, 600V, TO-247, 3Pins
文档:
数据手册
3D模型

STGW39NC60VD 购买 STGW39NC60VD 库存和价格更新于 2025-06-13 03:50:22

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器件型号: STGW39NC60VD

百芯编号: CM5712833

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-247-3

价格
￥

31.56

总计: 3,655 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/18 (预期 )

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类型

描述

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制造商

ST Microelectronics

类别

IGBT,晶体管,绝缘栅双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定电压(DC)

600 V

额定电流

40.0 A

额定功率

250 W

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

耗散功率

250 W

栅电荷

126 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

13 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

45 ns

额定功率(Max)

250 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250 W

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STGW39NC60VD 数据规格书

STGW39NC60VD 数据手册Datasheet

15 Pages, 421 KB

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15 Pages, 363 KB

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15 Pages, 397 KB

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STGW39NC60VD 数据手册Datasheet

13 Pages, 350 KB

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STGW39NC60VD 数据手册Datasheet

11 Pages, 304 KB

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STGW39NC60VD 其它数据手册Datasheet

20 Pages, 2663 KB

2004/04/26

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STGW39NC60VD 其它数据手册Datasheet

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STGW39NC60VD 其它数据手册Datasheet

17 Pages, 191 KB

2019/04/22

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STGW39NC60VD 产品修订记录

30 Pages, 325 KB

2019/04/08

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STGW39NC60VD 产品修订记录

9 Pages, 242 KB

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

STGW39NC60VD 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

STGW39NC60VD 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STGW39NC60VD 数据手册 >

产品概述

The STGW39NC60VD is a 600V Very Fast IGBT that utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is well suited for UPS, high frequency inverters and induction heating applications. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Ultra fast freewheeling diode
Low VCE (sat) for reduced conduction losses
Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling

STGW39NC60VD 数据手册 >

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