MRFE6VP100H 数据手册 Datasheet - NXP

更新时间： 2023/11/25 04:35:28 (UTC+8)

MRFE6VP100H 数据手册PDF (48 页)

点击页面查看数据手册详情

点击重新加载修复错误页面>

MRFE6VP100H 文档

MRFE6VP100H 产品设计参考

NXP

48 页, 2926 KB

MRFE6VP100H 其它数据手册

NXP

2 页, 42 KB

MRFE6VP100H 应用笔记

NXP

20 页, 1282 KB

MRFE6VP100H 产品封装文件

NXP

2 页, 47 KB

NXP

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1827

NXP

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1826

Freescale

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

Freescale

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

NXP

Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V

NXP

Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V

Avnet

Datasheet 搜索

搜索

百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册，每天更新超过5,000个PDF文件。

热门搜索