MRFE6VP100HSR5

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MRFE6VP100HSR5 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
NI-780S-4
描述：
RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1826
文档：

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MRFE6VP100HSR5 应用笔记 (20 页)

更新时间： 2025/05/29 23:23:10 (UTC+8)

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RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1827

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RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

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