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NTHD2102PT1G 库存 & 价格

NTHD2102PT1G
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
NTHD2102PT1G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • 制造商:
    ON Semiconductor
  • 制造商型号#:
    NTHD2102PT1G
  • 百芯编号#:
    CM104195257
  • 价格(CNY):
  • 百芯库存:
    298
  • 可供应量:
    174 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8Pin Chip FET T/R
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
NTHD2102PT1G 购买 NTHD2102PT1G 库存和价格更新于 2024-05-18 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: NTHD2102PT1G
    百芯编号: CM104195257
    制造商: ON Semiconductor
    价格
    总计: 472
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/23 (预期 )
  • 购买
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    NTHD2102PT1G 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    ON Semiconductor
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SMD-8
    额定电压(DC)
    -8.00 V
    额定电流
    -3.40 A
    漏源极电阻
    100 mΩ
    极性
    P-Channel, Dual P-Channel
    耗散功率
    1.1 W
    漏源极电压(Vds)
    8 V
    栅源击穿电压
    ±8.00 V
    连续漏极电流(Ids)
    4.60 A
    上升时间
    20 ns
    输入电容(Ciss)
    715pF @6.4V(Vds)
    额定功率(Max)
    1.1 W
    下降时间
    15 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    1100 mW
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    NTHD2102PT1G 数据规格书
    NTHD2102PT1G 数据手册Datasheet
    6 Pages, 64 KB
    2005/11/01
    查看
    NTHD2102PT1G 其它数据手册Datasheet
    8 Pages, 137 KB
    2005/11/01
    查看
    NTHD2102PT1G 产品目录
    6 Pages, 59 KB
    2004/12/21
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    3.05 mm
    宽度
    1.65 mm
    高度
    1.05 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Unknown
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • Power MOSFET Features • Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package • Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP−6 making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a Premium • Low Profile (<1.1 mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics • Designed to Provide Low RDS(on) at Gate Voltage as Low as 1.8 V, the Operating Voltage used in many Logic ICs in Portable Electronics • Simplifies Circuit Design since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required • Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology • Pb−Free Package is Available Applications • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment such as MP3 Players, Cell Phones, Digital Cameras, Personal Digital Assistant and other Portable Applications • Charge Control in Battery Chargers • Buck and Boost Converters

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    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    SN:H1.0125LO59633V13Q0QC0S1
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