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IRFR5305TRPBF 库存 & 价格

IRFR5305TRPBF
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IRFR5305TRPBF Infineon
Infineon
  • 制造商:
    Infineon
  • 制造商型号#:
    IRFR5305TRPBF
  • 百芯编号#:
    CM23352
  • 价格(CNY): ¥ 2.68
  • 百芯库存:
    9,960
  • 可供应量:
    7,881 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    DPAK P-CH 55V 31A
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
IRFR5305TRPBF 购买 IRFR5305TRPBF 库存和价格更新于 2024-04-30 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: IRFR5305TRPBF
    百芯编号: CM23352
    制造商: Infineon
    价格 ¥2.68
    总计: 17,841
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/05 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Infineon
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-252-3
    额定功率
    89 W
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    0.065 Ω
    极性
    P-Channel
    耗散功率
    110 W
    阈值电压
    4 V
    漏源极电压(Vds)
    55 V
    连续漏极电流(Ids)
    31A
    上升时间
    66 ns
    输入电容(Ciss)
    1200pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    110 W
    下降时间
    63 ns
    工作温度(Max)
    175 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    110W (Tc)
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    IRFR5305TRPBF 数据规格书
    IRFR5305TRPBF 数据手册Datasheet
    11 Pages, 245 KB
    2004/12/13
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    IRFR5305TRPBF 产品设计参考
    270 Pages, 11877 KB
    2017/11/08
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    IRFR5305TRPBF 其它数据手册Datasheet
    27 Pages, 318 KB
    2016/09/21
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    IRFR5305TRPBF 产品设计图
    2 Pages, 176 KB
    2015/08/19
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    IRFR5305TRPBF 应用笔记
    37 Pages, 2068 KB
    2017/01/09
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    IRFR5305TRPBF 产品修订记录
    6 Pages, 163 KB
    2012/10/07
    查看
    IRFR5305TRPBF 其他参考文件
    1 Pages, 158 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    6.73 mm
    宽度
    6.22 mm
    高度
    2.39 mm
    材质
    Silicon
    工作温度
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
    • Ultra low on-resistance
    • Advanced process technology
    • Fully avalanche rated

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      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
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      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    关联型号: IRFR5305 数据手册

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    SN:H12.1097LO5811V42Q0QC0S3
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