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TLC084AID 库存 & 价格

TLC084AID
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TLC084AID TI
TI
  • 制造商:
    TI
  • 制造商型号#:
    TLC084AID
  • 百芯编号#:
    CM5756711
  • 价格(CNY): ¥ 24.26
  • 百芯库存:
    273
  • 可供应量:
    195 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    运算,放大器
  • 产品描述:
    TEXAS INSTRUMENTS TLC084AID Operational Amplifier, Quad, 4 Amplifier, 10MHz, 16V/µs, 2.25V to 8V, SOIC, 14Pins
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
TLC084AID 购买 TLC084AID 库存和价格更新于 2024-05-14 03:50:22
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    器件型号: TLC084AID
    百芯编号: CM5756711
    制造商: TI
    价格 ¥24.26
    总计: 468
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/19 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    TI
    类别
    运算,放大器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    14 Pin
    封装
    SOIC-14
    电源电压(DC)
    16.0 V
    输出电流
    57mA @5V
    供电电流
    1.9 mA
    电路数
    4 Circuit
    通道数
    4 Channel
    针脚数
    14 Position
    耗散功率
    1022 mW
    共模抑制比
    80 dB
    输入补偿漂移
    1.20 µV/K
    带宽
    10 MHz
    转换速率
    16.0 V/μs
    增益频宽积
    10 MHz
    输入补偿电压
    390 µV
    输入偏置电流
    2 pA
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    增益带宽
    10 MHz
    耗散功率(Max)
    1022 mW
    共模抑制比(Min)
    80 dB
    电源电压
    2.25V ~ 8V
    电源电压(Max)
    16 V
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    TLC084AID 数据规格书
    TLC084AID 数据手册Datasheet
    53 Pages, 2097 KB
    2016/01/31
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    TLC084AID 其它数据手册Datasheet
    7 Pages, 380 KB
    2015/11/12
    查看
    TLC084AID 产品修订记录
    6 Pages, 372 KB
    2015/11/12
    查看
    TLC084AID 其他参考文件
    1 Pages, 130 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    8.65 mm
    宽度
    3.91 mm
    高度
    1.58 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    产品概述
    • The TLC084AID is a quad wide bandwidth high output drive Operational Amplifier. The first members of TI"s new BiMOS general-purpose operational amplifier family are the TLC08x. The BiMOS family concept is simple - provide an upgrade path for BiFET users who are moving away from dual-supply system and demand higher AC and DC performance. Developed in TI"s patented LBC3 BiCMOS process, the new BiMOS amplifiers combine a very high input impedance, low-noise CMOS front end with a high-drive bipolar output stage, thus providing the optimum performance features of both. AC performance improvements over the TL08x BiFET predecessors include a bandwidth of 10MHz (an increase of 300%) and voltage noise of 8.5nV/√Hz (an improvement of 60%). DC improvements include an ensured VICR that includes ground, a factor of 4 reduction in input offset voltage down to 1.5mV (maximum) in the standard grade and a power supply rejection improvement of greater than 40 to 130dB.
    • 1.9mA/channel Supply current
    • 125µA/channel Ultralow power shutdown mode
    • 60µV Input offset voltage
    • 1.2µV/°C Typical offset drift
    • 110dB Typical CMRR
    • Green product and no Sb/Br

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      - 防静电包装
      - 防震泡沫
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    关联型号: TLC084 数据手册

    电子元件供应服务

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    SN:H3.4433LO43026V15Q0QC0S0
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