Name: IRF7103TRPBF
Brand: Infineon
SKU: CM1678344
Price: 2.82 USD
Availability: InStock

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IRF7103TRPBF Infineon

制造商:
Infineon
制造商型号#:
IRF7103TRPBF
百芯编号#:
CM1678344
价格(CNY): ￥ 2.82
百芯库存:
119 个
库存地点:
可供应量:
104 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
SOIC N-CH 50V 3A
文档:
数据手册
符合 RoHS 标准 3D模型

IRF7103TRPBF 购买 IRF7103TRPBF 库存和价格更新于 2024-05-09 03:50:22

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器件型号: IRF7103TRPBF

百芯编号: CM1678344

制造商: Infineon

价格 ￥2.82

总计: 223 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/05/14 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

Infineon

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.11 Ω

极性

N-CH

耗散功率

2 W

阈值电压

3 V

输入电容

290 pF

漏源极电压(Vds)

50 V

漏源击穿电压

50 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

8 ns

热阻

50℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss)

290pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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IRF7103TRPBF 数据规格书

IRF7103TRPBF 数据手册Datasheet

9 Pages, 304 KB

2010/02/09

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IRF7103TRPBF 产品设计参考

270 Pages, 11877 KB

2017/11/08

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IRF7103TRPBF 其它数据手册Datasheet

30 Pages, 664 KB

查看

IRF7103TRPBF 产品设计图

2 Pages, 176 KB

2015/08/19

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IRF7103TRPBF 应用笔记

37 Pages, 2068 KB

2017/01/09

查看

IRF7103TRPBF 产品修订记录

8 Pages, 116 KB

2012/09/28

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IRF7103TRPBF 其他参考文件

1 Pages, 136 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

IRF7103TRPBF 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC版本

2015/12/17

IRF7103TRPBF 数据手册 >

产品概述

The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
Advanced process technology
Ultra low ON-resistance
Surface-mount device
Dynamic dV/dt rating
Fast switching performance

IRF7103TRPBF 数据手册 >

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