Name: IRF5210SPBF
Brand: Infineon
SKU: CM10381204
Price: 13.88 USD
Availability: InStock

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IRF5210SPBF Infineon

制造商:
Infineon
制造商型号#:
IRF5210SPBF
百芯编号#:
CM10381204
价格(CNY): ￥ 13.88
百芯库存:
724 个
库存地点:
可供应量:
363 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
D2PAK P-CH 100V 38A
文档:
数据手册
符合 RoHS 标准 3D模型

IRF5210SPBF 购买 IRF5210SPBF 库存和价格更新于 2024-05-17 03:50:22

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器件型号: IRF5210SPBF

百芯编号: CM10381204

制造商: Infineon

价格 ￥13.88

总计: 1,087 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/05/22 (预期 )

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IRF5210SPBF 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

Infineon

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

3.8 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.06 Ω

极性

P-CH

耗散功率

200 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

38A

上升时间

63 ns

输入电容(Ciss)

2780pF @25V(Vds)

下降时间

55 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 170W (Tc)

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IRF5210SPBF 数据规格书

IRF5210SPBF 数据手册Datasheet

10 Pages, 311 KB

2009/08/04

查看

IRF5210SPBF 产品设计参考

270 Pages, 11877 KB

2017/11/08

查看

IRF5210SPBF 其它数据手册Datasheet

27 Pages, 311 KB

2017/02/27

查看

IRF5210SPBF 产品设计图

2 Pages, 176 KB

2015/08/19

查看

IRF5210SPBF 应用笔记

37 Pages, 2068 KB

2017/01/09

查看

IRF5210SPBF 产品修订记录

9 Pages, 147 KB

2015/11/26

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

4.69 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

IRF5210SPBF 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC版本

2015/12/17

IRF5210SPBF 数据手册 >

产品概述

The IRF5210SPBF is a -100V single P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of other applications.
Advanced process technology
Ultra low on-resistance
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
150°C Operating temperature

IRF5210SPBF 数据手册 >

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