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TL084CDT 库存 & 价格

TL084CDT
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TL084CDT ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    TL084CDT
  • 百芯编号#:
    CM135017
  • 价格(CNY): ¥ 0.87
  • 百芯库存:
    605,032
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    699,579 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    运算,放大器
  • 产品描述:
    Operational Amplifier, Quad, 4 Amplifier, 4MHz, 16V/µs, 6V to 36V, SOIC, 14Pins
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
TL084CDT 购买 TL084CDT 库存和价格更新于 2024-05-08 03:50:22
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    器件型号: TL084CDT
    百芯编号: CM135017
    制造商: ST Microelectronics
    价格 ¥0.87
    总计: 1,304,611
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/13 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    运算,放大器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    14 Pin
    封装
    SOIC-14
    电源电压(DC)
    36.0 V
    工作电压
    6V ~ 36V
    输出电流
    40 mA
    供电电流
    1.4 mA
    电路数
    4 Circuit
    通道数
    4 Channel
    针脚数
    14 Position
    耗散功率
    680 mW
    共模抑制比
    86 dB
    带宽
    4 MHz
    转换速率
    16.0 V/μs
    增益频宽积
    4 MHz
    输入补偿电压
    3 mV
    输入偏置电流
    20 pA
    工作温度(Max)
    70 ℃
    工作温度(Min)
    0 ℃
    增益带宽
    4 MHz
    耗散功率(Max)
    680 mW
    共模抑制比(Min)
    70 dB
    电源电压
    6V ~ 36V
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    TL084CDT 数据规格书
    TL084CDT 数据手册Datasheet
    19 Pages, 884 KB
    2011/10/21
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    TL084CDT 产品设计参考
    23 Pages, 1508 KB
    2014/04/03
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    TL084CDT 其它数据手册Datasheet
    60 Pages, 3140 KB
    2017/10/24
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    TL084CDT 应用笔记
    19 Pages, 2120 KB
    2017/11/22
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    TL084CDT 产品修订记录
    25 Pages, 747 KB
    2012/12/20
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    TL084CDT 其他参考文件
    1 Pages, 129 KB
    2011/06/15
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    8.75 mm
    宽度
    4 mm
    高度
    1.65 mm
    工作温度
    0℃ ~ 70℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Contains Lead
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The TL084CDT is a general purpose JFET quad Operational Amplifier incorporating well matched, high voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit. The device features high slew rates, low input bias and offset currents and low offset voltage temperature coefficient.
    • Low input bias and offset current
    • Output short-circuit protection
    • High input impedance JFET input stage
    • Internal frequency compensation
    • Latch up free operation
    • 680mW Power dissipation

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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
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    SN:H10.2112LO60178V143Q0QC0S1
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