Name: DF200R12W1H3FB11BOMA1
Brand: Infineon
SKU: CM310938200
Availability: OutOfStock

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon

库存紧缺

制造商:
Infineon
制造商型号#:
DF200R12W1H3FB11BOMA1
百芯编号#:
CM310938200
价格(CNY):
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库存地点:
可供应量:
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产品描述:
Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 1B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3.
文档:
数据手册
3D模型

DF200R12W1H3FB11BOMA1 购买 DF200R12W1H3FB11BOMA1 库存和价格更新于 2025-06-15 03:50:22

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器件型号: DF200R12W1H3FB11BOMA1

百芯编号: CM310938200

制造商: Infineon

价格

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/20 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

Infineon

封装

AG-EASY1B-2

3D模型

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容(Cies)

6.15nF @25V

额定功率(Max)

20 mW

显示相似产品

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据规格书

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册Datasheet

11 Pages, 854 KB

2017/03/31

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 产品设计参考

36 Pages, 3543 KB

2017/05/02

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 其它数据手册Datasheet

73 Pages, 3004 KB

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 应用笔记

33 Pages, 2300 KB

2015/11/11

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

工作温度

-40℃ ~ 150℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

Compliant with Exemption

含铅标准

Lead Free

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册 >

产品概述

Summary of Features:
High Speed IGBT H3
Low Switching Losses
CoolSiC™ Schottky diode 1200V
Fast Silicon diode 1200V
Al(2)O(3) Substrate with Low Thermal Resistance
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT Contact Technology
Benefits:
Compact module concept
Optimized customer’s development cycle time and cost
Configuration flexibility

DF200R12W1H3FB11BOMA1 数据手册 >

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