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SIHG30N60E-GE3 数据手册 Datasheet - Vishay Semiconductor

制造商：
Vishay Semiconductor
分类：
中高压,MOS管
封装：
TO-247
描述：
VISHAY SIHG30N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V
文档：

SIHG30N60E-GE3 数据手册 (8 页) Hot

封装外形尺寸在 7页

型号规则信息在 1页

更新时间： 2024/06/28 10:42:27 (UTC+8)

SIHG30N60E-GE3 数据手册PDF (8 页)

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SIHG30N60E-GE3
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VISHAY

TO-247-3 N-CH 600V 29A 125mΩ

SIHG30N60E-GE3
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Vishay Semiconductor

VISHAY SIHG30N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V

SIHG30N60E-E3
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VISHAY

TO-247-3 N-CH 600V 29A 125mΩ

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

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VISHAY SIHG30N60E-E3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

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Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

SIHG30N60AEL-GE3
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