百芯智造的价格

SIHG30N60E-GE3 数据手册 Datasheet - VISHAY

制造商：
VISHAY
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
TO-247-3
描述：
TO-247-3 N-CH 600V 29A 125mΩ
文档：

SIHG30N60E-GE3 数据手册 (10 页) Hot

封装外形尺寸在 7页 8页 9页

型号规则信息在 1页

更新时间： 2025/06/12 02:05:33 (UTC+8)

SIHG30N60E-GE3 数据手册PDF (3 页)

型号列表

焊接温度

点击页面查看数据手册详情

点击重新加载修复错误页面>

SIHG30N60E-GE3 文档

SIHG30N60E-GE3 数据手册

VISHAY

10 页, 213 KB

SIHG30N60E-GE3 其它数据手册

VISHAY

8 页, 178 KB

SIHG30N60E-GE3 产品修订记录

VISHAY

3 页, 99 KB

SIHG30N60 数据手册PDF

SIHG30N60E-GE3
数据手册

VISHAY

TO-247-3 N-CH 600V 29A 125mΩ

SIHG30N60E-GE3
数据手册

Vishay Semiconductor

VISHAY SIHG30N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V

SIHG30N60E-E3
数据手册

VISHAY

TO-247-3 N-CH 600V 29A 125mΩ

SIHG30N60E-GE3
数据手册

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

SIHG30N60E-E3
其它数据手册

Vishay Semiconductor

VISHAY SIHG30N60E-E3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V

SIHG30N60E-E3
其它数据手册

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

SIHG30N60AEL-GE3
其它数据手册

Vishay Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIHG120N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3
数据手册

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

Datasheet 搜索

搜索

百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册，每天更新超过5,000个PDF文件。

热门搜索