MW6S004NT1

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MW6S004NT1 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
PLD-1
描述：
RF Power Transistor,1 to 2000MHz, 4W, Typ Gain in dB is 18 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1811
文档：

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更新时间： 2024/03/30 02:03:58 (UTC+8)

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