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MRF6V2300NBR1 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
分类：
晶体管,三极管
封装：
TO-272
描述：
NXP MRF6V2300NBR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-272
文档：

MRF6V2300NBR1 产品设计参考 (10 页) Hot

MRF6V2300NBR1 应用笔记 (21 页)

更新时间： 2024/04/05 01:25:19 (UTC+8)

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MRF6V2300NBR1 产品设计参考

NXP

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MRF6V2300NBR1 应用笔记

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21 页, 650 KB

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NXP

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MRF6V2300 数据手册PDF

MRF6V2300NBR1
产品设计参考

NXP

NXP MRF6V2300NBR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-272

MRF6V2300NBR5
产品设计参考

NXP

RF Power Transistor,10 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 220MHz, 50V, LDMOS, SOT1735

MRF6V2300NR5
数据手册

NXP

RF Power Transistor,10 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 220MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

MRF6V2300NR1
产品设计参考

NXP

NXP MRF6V2300NR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-270

MRF6V2300NBR5
数据手册

Freescale

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R

MRF6V2300NBR1
数据手册

Freescale

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R

MRF6V2300NR5
数据手册

Freescale

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-270W T/R

MRF6V2300NR1
数据手册

Freescale

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-270W T/R

MRF6V2300N
产品设计参考

NXP

Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600MHz, 300W, 50V

MRF6V2300NB
产品设计参考

NXP

Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600MHz, 300W, 50V

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