ISO5852SDWR

百芯智造的价格

ISO5852SDWR 数据手册 Datasheet - TI

制造商：
TI
分类：
FET,驱动器
封装：
SOIC-16
描述：
MOSFET DRVR 2.5A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin SOIC T/R
文档：

ISO5852SDWR 数据手册 (37 页)

引脚定义在 3页 Hot

封装外形尺寸在 34页

ISO5852SDWR 产品设计参考 (19 页)

ISO5852SDWR 应用笔记 (32 页)

更新时间： 2023/12/02 00:55:00 (UTC+8)

ISO5852SDWR 数据手册PDF (37 页)

1

ISO5852SDWR 数据规格书 1

2

ISO5852SDWR 数据规格书 2

3

ISO5852SDWR 数据规格书 3

4

ISO5852SDWR 数据规格书 4

5

ISO5852SDWR 数据规格书 5

6

ISO5852SDWR 数据规格书 6

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ISO5852SDWR 文档

ISO5852SDWR 数据手册

TI

37 页, 1558 KB

ISO5852SDWR 产品设计参考

TI

19 页, 488 KB

ISO5852SDWR 其它数据手册

TI

40 页, 1199 KB

ISO5852SDWR 应用笔记

TI

32 页, 1561 KB

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ISO5852SDWR
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MOSFET DRVR 2.5A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin SOIC T/R

ISO5852SDW
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MOSFET DRVR 2.5A/5A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin SOIC Tube

ISO5852SQDWRQ1
数据手册

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High-CMTI 2.5A/5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40℃ to 125℃

ISO5852SEVM
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TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SEVM Evaluation Board, IGBT Gate Driver, 2.5A Source/5A Sink

ISO5852SQDWQ1
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High-CMTI 2.5A/5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40℃ to 125℃

ISO5852S-Q1
数据手册

TI

High-CMTI 2.5A/5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features

ISO5852S
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5.7 kVrms Split O/P, Reinforced Isolated IGBT Gate Driver 16-SOIC -40℃ to 125℃o

ISO5852S-EP
数据手册

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High-CMTI 2.5A / 5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

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