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STW15NK50Z 库存 & 价格

STW15NK50Z
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
STW15NK50Z ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    STW15NK50Z
  • 百芯编号#:
    CM10250475
  • 价格(CNY): ¥ 21.70
  • 百芯库存:
    114
  • 可供应量:
    76 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    N-CHANNEL 500V 0.3Ω 14A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
STW15NK50Z 购买 STW15NK50Z 库存和价格更新于 2024-05-11 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: STW15NK50Z
    百芯编号: CM10250475
    制造商: ST Microelectronics
    价格 ¥21.70
    总计: 190
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/16 (预期 )
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    STW15NK50Z 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-247-3
    额定电压(DC)
    500 V
    额定电流
    14.0 A
    通道数
    1 Channel
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    0.3 Ω
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    160 W
    阈值电压
    3.75 V
    漏源极电压(Vds)
    500 V
    漏源击穿电压
    500 V
    栅源击穿电压
    ±30.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    14.0 A
    上升时间
    23 ns
    输入电容(Ciss)
    2260pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    160 W
    下降时间
    15 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    160W (Tc)
    显示相似产品
    STW15NK50Z 数据规格书
    STW15NK50Z 数据手册Datasheet
    19 Pages, 499 KB
    2005/10/20
    查看
    STW15NK50Z 其它数据手册Datasheet
    17 Pages, 191 KB
    2019/04/22
    查看
    STW15NK50Z 产品修订记录
    30 Pages, 325 KB
    2019/04/08
    查看
    STW15NK50Z 其他参考文件
    1 Pages, 133 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    15.75 mm
    宽度
    5.15 mm
    高度
    20.15 mm
    工作温度
    -50℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The STW15NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST"s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing On-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
    • Extremely high dV/dt capability
    • 100% Avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitances
    • Very good manufacturing repeatability
    • -55 to 150°C Operating junction temperature range

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    SN:H2.0545LO54279V12Q0QC0S1
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