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STP75NF75 库存 & 价格

STP75NF75
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
STP75NF75 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    STP75NF75
  • 百芯编号#:
    CM348627
  • 价格(CNY): ¥ 2.24
  • 百芯库存:
    84
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    57 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    N-CHANNEL 75V - 0.0095Ω - 80A TO-220/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
STP75NF75 购买 STP75NF75 库存和价格更新于 2024-04-30 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: STP75NF75
    百芯编号: CM348627
    制造商: ST Microelectronics
    价格 ¥2.24
    总计: 141
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/05 (预期 )
  • 购买
    *由于库存数量、价格不断波动,请 联系我们 获取型号最新价格和库存。

    元器件库存查询

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    百芯智造在2021年建立了一个 元器件检测实验室 ,旨在提供有质量保证的组件。
    我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-220-3
    额定电压(DC)
    75.0 V
    额定电流
    80.0 A
    通道数
    1 Channel
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    0.0095 Ω
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    300 W
    阈值电压
    3 V
    漏源极电压(Vds)
    75 V
    漏源击穿电压
    75.0 V
    栅源击穿电压
    ±20.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    80.0 A
    上升时间
    25.0 ns
    输入电容(Ciss)
    3700pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    300 W
    工作温度(Max)
    175 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    工作结温(Max)
    175 ℃
    耗散功率(Max)
    300W (Tc)
    显示相似产品
    STP75NF75 数据规格书
    STP75NF75 数据手册Datasheet
    16 Pages, 419 KB
    2005/10/20
    查看
    STP75NF75 产品修订记录
    5 Pages, 48 KB
    2016/07/28
    查看
    STP75NF75 产品目录
    16 Pages, 424 KB
    2005/10/20
    查看
    STP75NF75 其他参考文件
    1 Pages, 165 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    10.4 mm
    宽度
    4.6 mm
    高度
    9.15 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2014/06/16
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The STP75NF75 is a 75V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today"s challenging efficiency requirements.
    • Exceptional dv/dt capability
    • 100% Avalanche tested

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
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      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    SN:H7.5577LO5818V33Q0QC0S2
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