Name: SI7898DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductor
SKU: CM121776007
Price: 4.6 USD
Availability: InStock

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SI7898DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor

制造商:
Vishay Semiconductor
制造商型号#:
SI7898DP-T1-GE3
百芯编号#:
CM121776007
价格(CNY):
￥

4.60
百芯库存:
1,500 个
库存地点:
可供应量:
818 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
VISHAY SI7898DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 3A, 150V, 0.068Ω, 6V, 4V
文档:
数据手册
3D模型

SI7898DP-T1-GE3 购买 SI7898DP-T1-GE3 库存和价格更新于 2025-06-16 03:50:22

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器件型号: SI7898DP-T1-GE3

百芯编号: CM121776007

制造商: Vishay Semiconductor

封装: SOIC

价格
￥

4.60

总计: 2,318 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/21 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

Vishay Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.068 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

1.9 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

3.00 A

上升时间

10 ns

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1900 mW

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SI7898DP-T1-GE3 数据规格书

SI7898DP-T1-GE3 数据手册Datasheet

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2015/11/30

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12 Pages, 304 KB

2016/10/27

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SI7898DP-T1-GE3 其它数据手册Datasheet

12 Pages, 300 KB

2015/04/19

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

包装方式

Tape & Reel (TR)

SI7898DP-T1-GE3 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

SI7898DP-T1-GE3 数据手册 >

产品概述

The SI7898DP-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply primary side switch and industrial motor driver applications.
New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
PWM optimized
Fast switching
100% Rg tested
Halogen-free
-55 to 150°C Operating temperature range

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