Name: NTHC5513T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: CM24866579
Price: 4.31 USD
Availability: InStock

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NTHC5513T1G ON Semiconductor

库存紧缺

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
NTHC5513T1G
百芯编号#:
CM24866579
价格(CNY):
￥

4.31
百芯库存:
5 个
库存地点: 香港
可供应量:
12 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8Pin Chip FET T/R
文档:
数据手册
3D模型

NTHC5513T1G 购买 NTHC5513T1G 库存和价格更新于 2025-06-04 03:50:22

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器件型号: NTHC5513T1G

百芯编号: CM24866579

制造商: ON Semiconductor

封装: 1206

价格
￥

4.31

总计: 17 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/09 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ON Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装(公制)

3216

封装

1206

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

3.10 A

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.058 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

耗散功率

1.1 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.90 A

上升时间

13.0 ns

输入电容(Ciss)

180pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1 W

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NTHC5513T1G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

NTHC5513T1G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

NTHC5513T1G 数据手册 >

产品概述

As an alternative to traditional transistors, the NTHC5513T1G power MOSFET from ON Semiconductor can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 1100 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

NTHC5513T1G 数据手册 >

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