NSS40300MZ4T1G双极性,晶体管,BJT,双极型安森美_参数 - 百芯智造

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NSS40300MZ4T1G

显示的图像仅供参考，应从产品数据表中获得准确的规格。

NSS40300MZ4T1G ON Semiconductor

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
NSS40300MZ4T1G
百芯编号#:
CM18595633
价格(CNY):
￥

3.16
百芯库存:
391 个
库存地点: 香港
可供应量:
229 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
双极性,晶体管,BJT,双极型
产品描述:
SOT-223 PNP 40V 3A
文档:
数据手册
3D模型

NSS40300MZ4T1G 购买 NSS40300MZ4T1G 库存和价格更新于 2025-06-15 03:50:22

器件型号: NSS40300MZ4T1G

百芯编号: CM18595633

制造商: ON Semiconductor

封装: TO-261-4

价格
￥

3.16

总计: 620 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/20 (预期 )

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NSS40300MZ4T1G 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

ON Semiconductor

类别

双极性,晶体管,BJT,双极型

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

频率

160 MHz

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

4 Position

极性

PNP

耗散功率

2 W

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

集电极最大允许电流

3A

最小电流放大倍数(hFE)

175 @1A, 1V

额定功率(Max)

2 W

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

显示相似产品

NSS40300MZ4T1G 数据规格书

NSS40300MZ4T1G 数据手册Datasheet

8 Pages, 152 KB

2021/07/30

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NSS40300MZ4T1G 数据手册Datasheet

8 Pages, 152 KB

2021/07/26

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NSS40300MZ4T1G 其它数据手册Datasheet

11 Pages, 172 KB

2010/12/02

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NSS40300MZ4T1G 其它数据手册Datasheet

8 Pages, 160 KB

2013/09/17

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NSS40300MZ4T1G 其它数据手册Datasheet

6 Pages, 95 KB

2007/05/09

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NSS40300MZ4T1G 其它数据手册Datasheet

6 Pages, 138 KB

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NSS40300MZ4T1G 其它数据手册Datasheet

6 Pages, 94 KB

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NSS40300MZ4T1G 应用笔记

7 Pages, 134 KB

2016/08/14

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

宽度

3.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NSS40300MZ4T1G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC版本

2015/12/17

NSS40300MZ4T1G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

NSS40300MZ4T1G 数据手册 >

产品概述

Design various electronic circuits with this versatile PNP NSS40300MZ4T1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

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