NSBC114YDXV6T1G双极性,晶体管,BJT,双极型安森美_参数 - 百芯智造

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NSBC114YDXV6T1G

显示的图像仅供参考，应从产品数据表中获得准确的规格。

NSBC114YDXV6T1G ON Semiconductor

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
NSBC114YDXV6T1G
百芯编号#:
CM31832333
价格(CNY):
￥

0.93
百芯库存:
1,477 个
库存地点:
可供应量:
804 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
双极性,晶体管,BJT,双极型
产品描述:
SOT-563 NPN 50V 100mA
文档:
数据手册
3D模型

NSBC114YDXV6T1G 购买 NSBC114YDXV6T1G 库存和价格更新于 2025-06-16 03:50:22

器件型号: NSBC114YDXV6T1G

百芯编号: CM31832333

制造商: ON Semiconductor

封装: SOT-563-6

价格
￥

0.93

总计: 2,281 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/21 (预期 )

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NSBC114YDXV6T1G 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

ON Semiconductor

类别

双极性,晶体管,BJT,双极型

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

极性

NPN

耗散功率

0.5 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数(hFE)

80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE)

80

额定功率(Max)

500 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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NSBC114YDXV6T1G 数据规格书

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NSBC114YDXV6T1G 其它数据手册Datasheet

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NSBC114YDXV6T1G 其它数据手册Datasheet

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NSBC114YDXV6T1G 其它数据手册Datasheet

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NSBC114YDXV6T1G 其它数据手册Datasheet

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2017/08/15

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NSBC114YDXV6T1G 产品修订记录

2 Pages, 302 KB

2017/08/15

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

1.6 mm

宽度

1.2 mm

高度

0.55 mm

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NSBC114YDXV6T1G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

NSBC114YDXV6T1G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

NSBC114YDXV6T1G 数据手册 >

产品概述

Do you need a device that can offer the benefits of traditional BJTs with the compatibility for digital signal processors? The NPN NSBC114YDXV6T1G digital transistor from ON Semiconductor is your solution. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual configuration. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

NSBC114YDXV6T1G 数据手册 >

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