NGTB50N120FL2WGIGBT,晶体管,绝缘栅双极型安森美_参数 - 百芯智造

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NGTB50N120FL2WG

显示的图像仅供参考，应从产品数据表中获得准确的规格。

NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
NGTB50N120FL2WG
百芯编号#:
CM9246400
价格(CNY):
￥

18.77
百芯库存:
296 个
库存地点:
可供应量:
173 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
产品描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
文档:
数据手册
3D模型

NGTB50N120FL2WG 购买 NGTB50N120FL2WG 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

器件型号: NGTB50N120FL2WG

百芯编号: CM9246400

制造商: ON Semiconductor

封装: TO-247-3

价格
￥

18.77

总计: 469 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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NGTB50N120FL2WG 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

ON Semiconductor

类别

IGBT,晶体管,绝缘栅双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

耗散功率

535 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

256 ns

额定功率(Max)

535 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

535 W

显示相似产品

NGTB50N120FL2WG 数据规格书

NGTB50N120FL2WG 数据手册Datasheet

8 Pages, 107 KB

2015/05/29

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NGTB50N120FL2WG 数据手册Datasheet

9 Pages, 109 KB

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NGTB50N120FL2WG 数据手册Datasheet

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2018/03/14

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NGTB50N120FL2WG 数据手册Datasheet

10 Pages, 220 KB

2021/08/20

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NGTB50N120FL2WG 其它数据手册Datasheet

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2015/01/28

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NGTB50N120FL2WG 其它数据手册Datasheet

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NGTB50N120FL2WG 其它数据手册Datasheet

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2017/08/28

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NGTB50N120FL2WG 其它数据手册Datasheet

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NGTB50N120FL2WG 其它数据手册Datasheet

3 Pages, 156 KB

2016/02/09

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NGTB50N120FL2WG 其它数据手册Datasheet

1 Pages, 158 KB

2008/04/08

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NGTB50N120FL2WG 产品修订记录

4 Pages, 174 KB

2015/11/26

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

16.25 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

NGTB50N120FL2WG 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC版本

2015/12/17

NGTB50N120FL2WG 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

NGTB50N120FL2WG 数据手册 >

产品概述

This fast-switching NGTB50N120FL2WG IGBT transistor from ON Semiconductor will be perfect in your circuit. Its maximum power dissipation is 535000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It is made in a single configuration. This device is made with field stop ii|trench technology. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

NGTB50N120FL2WG 数据手册 >

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