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MRFE6VP5600H 库存 & 价格

NXP Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600MHz, 600W CW, 50V
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MRFE6VP5600H NXP
NXP
  • 制造商:
    NXP
  • 制造商型号#:
    MRFE6VP5600H
  • 百芯编号#:
    CM988024057
  • 价格(CNY):
  • 百芯库存:
    265
  • 可供应量:
    202 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600MHz, 600W CW, 50V
  • 文档: 3D模型
MRFE6VP5600H 购买 MRFE6VP5600H 库存和价格更新于 2025-06-13 03:50:22
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    器件型号: MRFE6VP5600H
    百芯编号: CM988024057
    制造商: NXP
    价格
    总计: 467
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/18 (预期 )
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    MRFE6VP5600H 数据规格书
    MRFE6VP5600H 数据手册Datasheet
    7 Pages, 167 KB
    2006/09/22
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    MRFE6VP5600H 其它数据手册Datasheet
    2 Pages, 44 KB
    2016/02/19
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    MRFE6VP5600H 应用笔记
    13 Pages, 978 KB
    2011/01/07
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    MRFE6VP5600H 产品封装文件
    2 Pages, 47 KB
    2016/03/03
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    产品生命周期
    Active
    产品概述
    • Overview
    • These high ruggedness devices, MRFE6VP5600HR6 and MRFE6VP5600HSR6, are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.
    • MoreLess
    • ## Features
    • * Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
    • * Device can be used Single-Ended or in a Push-Pull Configuration
    • * Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
    • * Characterized from 30 V to 50 V for Extended Power Range
    • * Suitable for Linear Application with Appropriate Biasing
    • * Integrated ESD Protection with Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
    • * Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
    • * RoHS Compliant
    • * In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel.
    • * These products are included in Our product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch.
    • **NOTE: PARTS ARE PUSH–PULL**
    • ## Features
    • **NOTE: PARTS ARE PUSH–PULL**RF Performance Table
    • ### 230 MHz Narrowband
    • Typical Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA*Signal Type** | **Pout
    • (W)* | **f
    • (MHz)* | **Gps
    • (dB)* | **ηD
    • (%)* | **IRL
    • (dB)*
    • \---|---|---|---|---|---
    • Pulse (100 µsec,
    • 20% Duty Cycle) | 600 Peak| 230| 25.0| 74.6| –18
    • CW | 600 Avg.| 230| 24.6| 75.2| –17
    • * Capable of Handling a Load Mismatch of 65:1 VSWR, @ 50 Vdc, 230 MHz, at all Phase Angles, Designed for Enhanced Ruggedness
    • * 600 Watts Pulse Peak Power, 20% Duty Cycle, 100 µsec

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      - 防静电包装
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
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