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MMUN2113LT1G 库存 & 价格

ON Semiconductor SOT-23 PNP 50V 100mA
￥ 0.72
MMUN2113LT1G
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MMUN2113LT1G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • 制造商:
    ON Semiconductor
  • 制造商型号#:
    MMUN2113LT1G
  • 百芯编号#:
    CM5054196
  • 价格(CNY):
    ￥
    0.72
  • 百芯库存:
    229 个
  • 可供应量:
    148 个在库
    此为供应商库存，需要与销售确认
  • 产品类别:
    双极性,晶体管,BJT,双极型
  • 产品描述:
    SOT-23 PNP 50V 100mA
  • 文档:
    数据手册
    3D模型
MMUN2113LT1G 购买 MMUN2113LT1G 库存和价格更新于 2025-06-15 03:50:22
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    器件型号: MMUN2113LT1G
    百芯编号: CM5054196
    制造商: ON Semiconductor
    封装: SOT-23-3
    价格
    ￥
    0.72
    总计: 377 个
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/20 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    ON Semiconductor
    类别
    双极性,晶体管,BJT,双极型
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    3 Pin
    封装
    SOT-23-3
    额定电压(DC)
    -50.0 V
    额定电流
    -100 mA
    无卤素状态
    Halogen Free
    极性
    PNP
    耗散功率
    246 mW
    击穿电压(集电极-发射极)
    50 V
    集电极最大允许电流
    100mA
    最小电流放大倍数(hFE)
    80 @5mA, 10V
    额定功率(Max)
    246 mW
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    300 mW
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    MMUN2113LT1G 数据规格书
    MMUN2113LT1G 数据手册Datasheet
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    2008/10/15
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    2009/08/21
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    MMUN2113LT1G 产品修订记录
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    2016/09/16
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    MMUN2113LT1G 产品目录
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    2010/10/07
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    MMUN2113LT1G 产品目录
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    2001/12/13
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    2.9 mm
    宽度
    1.3 mm
    高度
    0.94 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    MMUN2113LT1G 数据手册 >
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    MMUN2113LT1G 数据手册 >
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    MMUN2113LT1G 数据手册 >
    产品概述
    • Look no further than ON Semiconductor"s PNP MMUN2113LT1G digital transistor"s, the ideal component to use when designing a digital signal processing unit. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. Its maximum power dissipation is 300 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It is made in a single configuration. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
    MMUN2113LT1G 数据手册 >

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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    订单 付款 运费 打包 质量保证 元器件检测实验室
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      - 订购时请确认产品规格。
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      - 您的订单发货后将发送跟踪号。
    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC)，800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库，恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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