Name: LM3940IS-3.3/NOPB
Brand: TI
SKU: CM6242435
Price: 9.19 USD
Availability: InStock

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LM3940IS-3.3/NOPB TI

制造商:
TI
制造商型号#:
LM3940IS-3.3/NOPB
百芯编号#:
CM6242435
价格(CNY):
￥

9.19
百芯库存:
214 个
库存地点:
可供应量:
162 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
稳压,芯片
产品描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM3940IS-3.3/NOPB Fixed LDO Voltage Regulator, 0V to 7.5V, 500mV Dropout, 3.3Vout, 1Aout, TO-263-3
文档:
数据手册
3D模型

LM3940IS-3.3/NOPB 购买 LM3940IS-3.3/NOPB 库存和价格更新于 2025-06-13 03:50:22

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器件型号: LM3940IS-3.3/NOPB

百芯编号: CM6242435

制造商: TI

封装: TO-263-4

价格
￥

9.19

总计: 376 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/18 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

类别

稳压,芯片

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-4

电源电压(DC)

7.50V (max)

额定电流

1.00 A

输出接口数

1 Output

输入电压(DC)

7.50V (max)

输出电压

3.3 V

输出电流

1 A

供电电流

15 mA

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

静态电流

110 µA

输出电容类型

Ceramic

跌落电压

500 mV

调节输出数

1 Output

输入电压(Max)

7.5 V

输入电压(Min)

0 V

输出电压(Min)

3.3 V

输出电流(Max)

1 A

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

输入电压

≤7.5 V

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LM3940IS-3.3/NOPB 数据手册Datasheet

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LM3940IS-3.3/NOPB 数据手册Datasheet

20 Pages, 1963 KB

2013/03/21

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LM3940IS-3.3/NOPB 其它数据手册Datasheet

12 Pages, 350 KB

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

10.16 mm

宽度

8.64 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

LM3940IS-3.3/NOPB 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

Compliant with Exemption

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

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产品概述

The LM3940IS-3.3/NOPB is a Low Dropout Regulator designed to provide 3.3V from a 5V supply. The LM3940 is ideally suited for systems which contain both 5 and 3.3V logic, with prime power provided from a 5V bus. Because the regulator is a true low dropout regulator, it can hold its 3.3V output in regulation with input voltages as low as 4.5V.
Output voltage specified over-temperature
Excellent load regulation
Requires only one external component
Built-in protection against excess temperature
Short-circuit protection
This device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

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