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IRF7853PBF 库存 & 价格

International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S
9.26
IRF7853PBF
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IRF7853PBF International Rectifier
International Rectifier
  • 制造商:
    International Rectifier
  • 制造商型号#:
    IRF7853PBF
  • 百芯编号#:
    CM36708726
  • 价格(CNY):
    9.26
  • 百芯库存:
    1,922
  • 可供应量:
    1,159 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S
  • 文档: 3D模型
IRF7853PBF 购买 IRF7853PBF 库存和价格更新于 2025-06-14 03:50:22
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    器件型号: IRF7853PBF
    百芯编号: CM36708726
    制造商: International Rectifier
    封装: SO-8
    价格
    9.26
    总计: 3,081
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/19 (预期 )
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    IRF7853PBF 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    International Rectifier
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SO-8
    漏源极电阻
    18 mΩ
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    2.5 W
    产品系列
    IRF7853
    阈值电压
    4.9 V
    输入电容
    1640pF @25V
    漏源极电压(Vds)
    100 V
    漏源击穿电压
    100 V
    连续漏极电流(Ids)
    8.30 A
    输入电容(Ciss)
    1640pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    2.5 W
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
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    IRF7853PBF 数据规格书
    IRF7853PBF 数据手册Datasheet
    8 Pages, 209 KB
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    2006/01/05
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    IRF7853PBF 数据手册Datasheet
    8 Pages, 229 KB
    2016/10/24
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    5 mm
    高度
    1.5 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Cut Tape (CT)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2014/12/17
    产品概述
    • "The IRF7853PbF is designed for AC-DC secondary-side synchronous rectification, isolated medium-power DC-DC applications.
    • The 100V IRF7853 is also optimized for wide-range communication bus input (36V to 75V) primary-side bridge topologies in isolated DC-DC bus converters. The 80V IRF7854 is useful for active ORing and hot-swap applications. All three of the MOSFETs are designed for secondary-side synchronous rectification in 5-19Vout flyback converter and resonant half-bridge applications and are suitable for isolated DC-DC applications as primary-side switches in forward or push-pull topologies for 18-36Vin isolated DC-DC converters.
    • Together with IRs low-voltage MOSFETs and controller ICs, these mid-range MOSFETs form secondary-side chipsets for medium-power, converter applications. In addition, when combined with the SmartRectifierTM IR1167 in AC-DC power supplies such as laptop adaptors, for example, these new SO-8 devices can replace two of their large TO-220 MOSFET counterparts and their associated heatsinks, improving overall system efficiency by as much as 1%. "
    • "*Applications**
    • * Primary Side Switch in Bridge Topology in Universal Input (36-75Vin) Isolated DC-DC Converters
    • * Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC Converters
    • * Secondary Side Synchronous Rectification Switch for 15Vout
    • * Suitable for 48V Non-Isolated Synchronous Buck DC-DC Applications
    • **Benefits**
    • * Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
    • * Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
    • * Fully Characterized Avalanche Voltage"

    百芯智造认证

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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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