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HMC219BMS8GE 库存 & 价格

HMC219BMS8GE
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
HMC219BMS8GE ADI
ADI
  • 制造商:
    ADI
  • 制造商型号#:
    HMC219BMS8GE
  • 百芯编号#:
    CM4038193
  • 价格(CNY): ¥ 62.22
  • 百芯库存:
    240
  • 可供应量:
    150 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    Up/Down Conv Mixer 7GHz 8Pin SO EP T/R
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
HMC219BMS8GE 购买 HMC219BMS8GE 库存和价格更新于 2024-05-09 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: HMC219BMS8GE
    百芯编号: CM4038193
    制造商: ADI
    价格 ¥62.22
    总计: 390
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/14 (预期 )
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    HMC219BMS8GE 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
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    制造商
    ADI
    安装方式
    Surface Mount
    3D模型
     3D模型
    引脚数
    8 Pin
    封装
    MSOP-8
    频率
    2.5GHz ~ 7GHz
    耗散功率
    0.972 W
    工作温度(Max)
    85 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    耗散功率(Max)
    972 mW
    显示相似产品
    HMC219BMS8GE 数据规格书
    HMC219BMS8GE 数据手册Datasheet
    27 Pages, 444 KB
    2017/10/05
    查看
    HMC219BMS8GE 其它数据手册Datasheet
    12 Pages, 800 KB
    2016/06/01
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    产品生命周期
    Pre-Release
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Contains Lead
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • Product Details
    • The HMC219B is an ultraminiature, general-purpose, double balanced mixer in an 8-lead plastic surface mini small outline package with exposed pad (MINI_SO_EP). This passive monolithic microwave integrated circuit (MMIC) mixer is fabricated in a gallium arsenide (GaAs) metal semiconductor field effect transistor (MESFET) process and requires no external components or matching circuitry. The device can be used as an upconverter, downconverter, biphase demodulator, or phase comparator from 2.5 GHz to 7.0 GHz.
    • The HMC219B provides excellent local oscillator (LO) to radio frequency (RF) isolation and LO to intermediate frequency (IF) isolation due to optimized balun structures. The RoHS compliant HMC219B eliminates the need for wire bonding and is compatible with high volume surface-mount manufacturing techniques. The consistent MMIC performance improves system operation and assures regulatory compliance with HiperLAN, U-NII, and ISM.
    • **Applications**
    • Microwave radios
    • High performance radio local area network (HiperLAN) and unlicensed national information infrastructure (U-NII)
    • Industrial, scientific, and medical (ISM)
    • ### Features and Benefits
    • Conversion loss: 9 dB typical
    • LO to RF isolation: 40 dB typical
    • LO to IF isolation: 35 dB typical
    • RF to IF isolation: 22 dB typical
    • Input IP3: 18 dBm typical
    • Input P1dB: 11 dBm typical
    • Input IP2: 55 dBm typical
    • Passive double balanced topology
    • 8-lead, 3 mm × 3 mm, MINI_SO_EP

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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
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      - XRF检查
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    SN:H1.60963LO83463V20Q0QC0S1
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