Name: FDS6892A
Brand: Fairchild
SKU: CM59620069
Price: 4.53 USD
Availability: InStock

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FDS6892A Fairchild

制造商:
Fairchild
制造商型号#:
FDS6892A
百芯编号#:
CM59620069
价格(CNY):
￥

4.53
百芯库存:
4,365 个
库存地点:
可供应量:
3,097 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8Pin SOIC T/R
文档:
数据手册
3D模型

FDS6892A 购买 FDS6892A 库存和价格更新于 2025-06-05 03:50:22

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器件型号: FDS6892A

百芯编号: CM59620069

制造商: Fairchild

封装: SOIC-8

价格
￥

4.53

总计: 7,462 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/10 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

Fairchild

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

7.50 A

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

18 mΩ

极性

N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率

2 W

阈值电压

900 mV

输入电容

1.33 nF

栅电荷

12.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.50 A

上升时间

15 ns

输入电容(Ciss)

1333pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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FDS6892A 数据规格书

FDS6892A 数据手册Datasheet

5 Pages, 81 KB

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11 Pages, 160 KB

2007/12/28

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FDS6892A 数据手册Datasheet

10 Pages, 253 KB

2015/11/05

查看

FDS6892A 数据手册Datasheet

10 Pages, 253 KB

2014/10/09

查看

FDS6892A 数据手册Datasheet

7 Pages, 177 KB

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FDS6892A 数据手册Datasheet

6 Pages, 149 KB

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FDS6892A 数据手册Datasheet

8 Pages, 176 KB

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7 Pages, 177 KB

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FDS6892A 其它数据手册Datasheet

8 Pages, 193 KB

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FDS6892A 其它数据手册Datasheet

2 Pages, 141 KB

2017/08/17

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

FDS6892A 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

FDS6892A 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

FDS6892A 数据手册 >

产品概述

The FDS6892A is a dual N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Low gate charge
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability
±12V Gate to source voltage
7.5A Continuous drain current
30A Pulsed drain current

FDS6892A 数据手册 >

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