Name: FDC6401N
Brand: Fairchild
SKU: CM14120529
Price: 2.09 USD
Availability: InStock

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FDC6401N Fairchild

制造商:
Fairchild
制造商型号#:
FDC6401N
百芯编号#:
CM14120529
价格(CNY):
￥

2.09
百芯库存:
9,390 个
库存地点:
可供应量:
7,382 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6401N Dual MOSFET, Dual N Channel, 3A, 20V, 0.05Ω, 4.5V, 900mV
文档:
数据手册
3D模型

FDC6401N 购买 FDC6401N 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: FDC6401N

百芯编号: CM14120529

制造商: Fairchild

封装: TSOT-23-6

价格
￥

2.09

总计: 16,772 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

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制造商

Fairchild

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

3.00 A

针脚数

6 Position

漏源极电阻

70 mΩ

极性

N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率

960 mW

阈值电压

900 mV

输入电容

324 pF

栅电荷

3.30 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.00 A

上升时间

7 ns

输入电容(Ciss)

324pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

1.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.96 W

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FDC6401N 数据规格书

FDC6401N 数据手册Datasheet

7 Pages, 174 KB

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2012/03/28

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2008/04/23

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2014/01/15

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FDC6401N 其它数据手册Datasheet

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2017/08/17

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FDC6401N 产品设计图

1 Pages, 46 KB

2015/05/06

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FDC6401N 产品描述及参数

5 Pages, 77 KB

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FDC6401N 产品目录

5 Pages, 78 KB

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FDC6401N 其他参考文件

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2011/06/15

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FDC6401N 其他参考文件

1 Pages, 162 KB

2011/06/15

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

FDC6401N 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

FDC6401N 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

FDC6401N 数据手册 >

产品概述

The FDC6401N is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed. The device is suitable for use with DC-to-DC converters and battery protected applications.
Low gate charge
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability
±12V Gate to source voltage
3A Continuous drain/output current
12A Pulsed drain/output current

FDC6401N 数据手册 >

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