Name: FDB045AN08A0
Brand: Fairchild
SKU: CM12674827
Price: 17.52 USD
Availability: InStock

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FDB045AN08A0 Fairchild

制造商:
Fairchild
制造商型号#:
FDB045AN08A0
百芯编号#:
CM12674827
价格(CNY):
￥

17.52
百芯库存:
234 个
库存地点: 香港
可供应量:
146 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB045AN08A0 MOSFET Transistor, N Channel, 80A, 75V, 4.5mohm, 10V, 4V
文档:
数据手册
3D模型

FDB045AN08A0 购买 FDB045AN08A0 库存和价格更新于 2025-06-12 03:50:22

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器件型号: FDB045AN08A0

百芯编号: CM12674827

制造商: Fairchild

封装: TO-263-3

价格
￥

17.52

总计: 380 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/17 (预期 )

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类型

描述

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制造商

Fairchild

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定电压(DC)

75.0 V

额定电流

19.0 A

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

4.5 mΩ

极性

N-Channel

耗散功率

310 W

阈值电压

4 V

输入电容

6.60 nF

栅电荷

92.0 nC

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

88 ns

输入电容(Ciss)

6600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

310 W

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310W (Tc)

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FDB045AN08A0 数据规格书

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FDB045AN08A0 产品修订记录

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FDB045AN08A0 其他参考文件

1 Pages, 147 KB

2011/06/15

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

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出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

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产品概述

The FDB045AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU and battery protection circuit.
Low miller charge
Low Qrr body diode
UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

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