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DRV8305NEPHPRQ1 库存 & 价格

DRV8305NEPHPRQ1
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
DRV8305NEPHPRQ1 TI
TI
  • 制造商:
    TI
  • 制造商型号#:
    DRV8305NEPHPRQ1
  • 百芯编号#:
    CM5652196
  • 价格(CNY): ¥ 59.87
  • 百芯库存:
    244
  • 可供应量:
    192 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    Motor Driver Automotive 48Pin HTQFP EP T/R
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
DRV8305NEPHPRQ1 购买 DRV8305NEPHPRQ1 库存和价格更新于 2024-05-17 03:50:22
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    器件型号: DRV8305NEPHPRQ1
    百芯编号: CM5652196
    制造商: TI
    价格 ¥59.87
    总计: 436
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/22 (预期 )
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    DRV8305NEPHPRQ1 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    TI
    安装方式
    Surface Mount
    3D模型
     3D模型
    引脚数
    48 Pin
    封装
    HTQFP-48
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    电源电压
    4.4V ~ 45V
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    DRV8305NEPHPRQ1 数据规格书
    DRV8305NEPHPRQ1 数据手册Datasheet
    6 Pages, 128 KB
    2015/05/13
    查看
    DRV8305NEPHPRQ1 其它数据手册Datasheet
    54 Pages, 1961 KB
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    工作温度
    -40℃ ~ 125℃ (TA)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The DRV8305-Q1 device is a gate driver IC for three-phase motor-drive applications. The device provides three high-accuracy half-bridge drivers, each capable of driving a high-side and low-side N-channel MOSFET. A charge pump driver supports 100% duty cycle and low-voltage operation for cold crank situations. The device can tolerate load dump voltages up to 45-V.
    • The DRV8305-Q1 device includes three bidirectional current-shunt amplifiers for accurate low-side current measurements that support variable gain settings and an adjustable offset reference.
    • The DRV8305-Q1 device has an integrated voltage regulator to support an MCU or other system power requirements. The voltage regulator can be interfaced directly with a LIN physical interface to allow low-system standby and sleep currents.
    • The gate driver uses automatic handshaking when switching to prevent current shoot through. The VDS of both the high-side and low-side MOSFETs is accurately sensed to protect the external MOSFETs from overcurrent conditions. The SPI provides detailed fault reporting, diagnostics, and device configurations such as gain options for the current shunt amplifier, individual MOSFET overcurrent detection, and gate-drive slew-rate control.
    • **Device Options:**

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