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CY62256NLL-55SNXI 库存 & 价格

CY62256NLL-55SNXI
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
CY62256NLL-55SNXI Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
  • 制造商:
    Cypress Semiconductor
  • 制造商型号#:
    CY62256NLL-55SNXI
  • 百芯编号#:
    CM13669792
  • 价格(CNY): ¥ 10.28
  • 百芯库存:
    234
  • 可供应量:
    172 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    RAM,芯片
  • 产品描述:
    CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62256NLL-55SNXI SRAM, 256Kbit, 32K x 8Bit, 4.5V to 5.5V, SOIC, 28Pins, 55ns
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
CY62256NLL-55SNXI 购买 CY62256NLL-55SNXI 库存和价格更新于 2024-05-31 03:50:22
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    器件型号: CY62256NLL-55SNXI
    百芯编号: CM13669792
    制造商: Cypress Semiconductor
    价格 ¥10.28
    总计: 406
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/06/05 (预期 )
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    CY62256NLL-55SNXI 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    Cypress Semiconductor
    类别
    RAM,芯片
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    28 Pin
    封装
    SOIC-28
    频率
    1.00 MHz
    电源电压(DC)
    5.00 V, 5.50 V (max)
    工作电压
    5 V
    供电电流
    50 mA
    针脚数
    28 Position
    时钟频率
    1 MHz
    位数
    8 Bit
    存取时间
    55 ns
    内存容量
    32000 B
    存取时间(Max)
    55 ns
    工作温度(Max)
    85 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    电源电压
    4.5V ~ 5.5V
    电源电压(Max)
    5.5 V
    电源电压(Min)
    4.5 V
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    CY62256NLL-55SNXI 数据规格书
    CY62256NLL-55SNXI 数据手册Datasheet
    17 Pages, 571 KB
    2002/08/27
    查看
    CY62256NLL-55SNXI 其它数据手册Datasheet
    30 Pages, 186 KB
    2016/06/22
    查看
    CY62256NLL-55SNXI 产品封装文件
    13 Pages, 694 KB
    2006/08/31
    查看
    CY62256NLL-55SNXI 产品修订记录
    3 Pages, 37 KB
    2014/12/17
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    18.03 mm
    宽度
    0.3 in
    高度
    2.79 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 85℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    产品概述
    • The CY62256NLL-55SNXI is a 256kb high performance CMOS static RAM organized as 32K words by 8-bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable and active LOW output enable and tri-state drivers. This device has an automatic power-down feature reducing the power consumption by 99.9% when deselected. An active LOW write enable signal controls the writing/reading operation of the memory. When CE and WE inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins, is written into the memory location addressed by the address present on the address pins. Reading the device is accomplished by selecting the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE remain inactive or HIGH. Under these conditions, the contents of the location addressed by the information on address pins are present on the eight data input/output pins. The input/output pins remain in a high impedance state unless the chip is selected, outputs are enabled and write enable is HIGH.
    • Easy memory expansion with CE and OE
    • TTL-compatible inputs and outputs
    • Automatic power-down when deselected
    • CMOS for optimum speed/power

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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
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      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    关联型号: CY62256 数据手册

    电子元件供应服务

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    SN:H3.7476LO0V9Q0QC0S0
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