Name: CSD83325L
Brand: TI
SKU: CM57444338
Price: 3.81 USD
Availability: InStock

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CSD83325L TI

制造商:
TI
制造商型号#:
CSD83325L
百芯编号#:
CM57444338
价格(CNY):
￥

3.81
百芯库存:
231 个
库存地点: 香港
可供应量:
155 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
PICOSTAR N-CH 12V 8A
文档:
数据手册
3D模型

CSD83325L 购买 CSD83325L 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: CSD83325L

百芯编号: CM57444338

制造商: TI

封装: XFBGA-6

价格
￥

3.81

总计: 386 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

XFBGA-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

5.9 mΩ

极性

N-CH

耗散功率

2.3 W

阈值电压

750 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

±12 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

353 ns

输入电容(Ciss)

902pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

589 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

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CSD83325L 数据规格书

CSD83325L 数据手册Datasheet

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2017/02/17

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2016/01/08

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CSD83325L 数据手册Datasheet

12 Pages, 636 KB

2014/11/22

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CSD83325L 数据手册Datasheet

13 Pages, 1176 KB

2014/12/04

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CSD83325L 其它数据手册Datasheet

23 Pages, 988 KB

查看

CSD83325L 其它数据手册Datasheet

5 Pages, 87 KB

2016/03/07

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

2.2 mm

宽度

1.15 mm

高度

0.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

包装方式

Tape & Reel (TR)

CSD83325L 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

CSD83325L 数据手册 >

产品概述

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.

CSD83325L 数据手册 >

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