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BSP16T1G 库存 & 价格

BSP16T1G
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
BSP16T1G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • 制造商:
    ON Semiconductor
  • 制造商型号#:
    BSP16T1G
  • 百芯编号#:
    CM16017136
  • 价格(CNY): ¥ 0.58
  • 百芯库存:
    289
  • 可供应量:
    175 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    双极性,晶体管,BJT,双极型
  • 产品描述:
    SOT-223 PNP 300V 0.1A
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
BSP16T1G 购买 BSP16T1G 库存和价格更新于 2024-05-17 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: BSP16T1G
    百芯编号: CM16017136
    制造商: ON Semiconductor
    价格 ¥0.58
    总计: 464
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/22 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    ON Semiconductor
    类别
    双极性,晶体管,BJT,双极型
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    4 Pin
    封装
    TO-261-4
    频率
    15 MHz
    额定电压(DC)
    -300 V
    额定电流
    -1.00 A
    针脚数
    4 Position
    极性
    PNP
    耗散功率
    1.5 W
    增益频宽积
    15 MHz
    击穿电压(集电极-发射极)
    300 V
    集电极最大允许电流
    0.1A
    最小电流放大倍数(hFE)
    30 @50mA, 10V
    额定功率(Max)
    1.5 W
    直流电流增益(hFE)
    30
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -65 ℃
    耗散功率(Max)
    1500 mW
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    BSP16T1G 数据手册Datasheet
    3 Pages, 113 KB
    2010/09/02
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    BSP16T1G 其它数据手册Datasheet
    56 Pages, 786 KB
    2004/11/16
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    BSP16T1G 产品设计图
    2 Pages, 67 KB
    2009/08/10
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    6.7 mm
    宽度
    3.7 mm
    高度
    1.57 mm
    材质
    Silicon
    工作温度
    -65℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2016/06/20
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP BSP16T1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

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    SN:H3.5898LO31773V12Q0QC0S0
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