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BSC011N03LSATMA1 库存 & 价格

BSC011N03LSATMA1
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
BSC011N03LSATMA1 Infineon
Infineon
  • 制造商:
    Infineon
  • 制造商型号#:
    BSC011N03LSATMA1
  • 百芯编号#:
    CM13082600
  • 价格(CNY): ¥ 10.27
  • 百芯库存:
    9,690
  • 可供应量:
    7,653 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    TDSON N-CH 30V 37A
  • 文档: 3D模型
BSC011N03LSATMA1 购买 BSC011N03LSATMA1 库存和价格更新于 2024-05-18 03:50:22
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    器件型号: BSC011N03LSATMA1
    百芯编号: CM13082600
    制造商: Infineon
    价格 ¥10.27
    总计: 17,343
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/23 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Infineon
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    TDSON-8
    额定功率
    96 W
    针脚数
    8 Position
    漏源极电阻
    0.0009 Ω
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    96 W
    阈值电压
    2 V
    输入电容
    4700 pF
    漏源极电压(Vds)
    30 V
    连续漏极电流(Ids)
    37A
    上升时间
    8.8 ns
    输入电容(Ciss)
    4700pF @15V(Vds)
    下降时间
    6.2 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    96 W
    显示相似产品
    BSC011N03LSATMA1 数据规格书
    BSC011N03LSATMA1 数据手册Datasheet
    10 Pages, 748 KB
    2013/05/14
    查看
    BSC011N03LSATMA1 产品设计参考
    270 Pages, 11877 KB
    2017/11/08
    查看
    BSC011N03LSATMA1 其它数据手册Datasheet
    40 Pages, 479 KB
    2019/01/03
    查看
    BSC011N03LSATMA1 应用笔记
    37 Pages, 2068 KB
    2017/01/09
    查看
    BSC011N03LSATMA1 产品修订记录
    1 Pages, 139 KB
    2019/05/29
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    6.1 mm
    宽度
    5.35 mm
    高度
    1.1 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    Compliant with Exemption
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    产品概述
    • The BSC011N03LS is a N-channel Power MOSFET features ultra low gate and output charge. With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions. It is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour, as well as increased battery life.
    • Lowest ON-state resistance in small footprint packages
    • Easy to design in
    • Increased battery lifetime
    • Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
    • Reducing power losses
    • Optimized for high performance Buck converter
    • Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
    • 100% Avalanche tested
    • Superior thermal resistance
    • Qualified according to JEDEC for target applications
    • Halogen-free, Green device

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    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
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    SN:H1.9242LO57253V18Q0QC0S1
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