Name: BD911
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM1482389
Price: 11.63 USD
Availability: InStock

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BD911 ST Microelectronics

库存紧缺

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
BD911
百芯编号#:
CM1482389
价格(CNY): ￥ 11.63
百芯库存:
2 个
库存地点: 香港
可供应量:
11 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
双极性,晶体管,BJT,双极型
产品描述:
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
文档:
数据手册
符合 RoHS 标准 3D模型

BD911 购买 BD911 库存和价格更新于 2024-05-08 03:50:22

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器件型号: BD911

百芯编号: CM1482389

制造商: ST Microelectronics

价格 ￥11.63

总计: 13 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/05/13 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

双极性,晶体管,BJT,双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

频率

3 MHz

额定电压(DC)

100 V

额定电流

15.0 A

针脚数

3 Position

极性

NPN

耗散功率

90 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

最小电流放大倍数(hFE)

15 @5A, 4V

最大电流放大倍数(hFE)

150

额定功率(Max)

90 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

90 W

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BD911 数据规格书

BD911 数据手册Datasheet

6 Pages, 1148 KB

1999/10/11

查看

BD911 其它数据手册Datasheet

17 Pages, 191 KB

2019/04/22

查看

BD911 产品修订记录

30 Pages, 325 KB

2019/04/08

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

BD911 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

BD911 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

BD911 数据手册 >

产品概述

The BD911 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary power transistors in TO-220 package. This device manufactured in epitaxial planar technology.
Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
Collector current (Ic) is 15A
Power dissipation (Pd) is 90W
Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
Operating junction temperature range from 150°C

BD911 数据手册 >

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