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APT25GP120BDQ1G 库存 & 价格

Microsemi Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
￥ 96.84
APT25GP120BDQ1G
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APT25GP120BDQ1G Microsemi
Microsemi
  • 制造商:
    Microsemi
  • 制造商型号#:
    APT25GP120BDQ1G
  • 百芯编号#:
    CM95330237
  • 价格(CNY):
    ￥
    96.84
  • 百芯库存:
    316 个
  • 可供应量:
    215 个在库
    此为供应商库存，需要与销售确认
  • 产品类别:
    IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
  • 产品描述:
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
  • 文档:
    数据手册
    3D模型
APT25GP120BDQ1G 购买 APT25GP120BDQ1G 库存和价格更新于 2025-06-04 03:50:22
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    器件型号: APT25GP120BDQ1G
    百芯编号: CM95330237
    制造商: Microsemi
    封装: TO-247-3
    价格
    ￥
    96.84
    总计: 531 个
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/09 (预期 )
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    APT25GP120BDQ1G 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
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    制造商
    Microsemi
    类别
    IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-247-3
    额定电压(DC)
    1.20 kV
    额定电流
    69.0 A
    耗散功率
    417000 mW
    击穿电压(集电极-发射极)
    1200 V
    额定功率(Max)
    417 W
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    417000 mW
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    APT25GP120BDQ1G 数据手册 >
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    APT25GP120BDQ1G 数据手册 >
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    APT25GP120BDQ1G 数据手册 >
    产品概述
    • This powerful and secure APT25GP120BDQ1G IGBT transistor from Microsemi will make sure your circuit works properly. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 417000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.
    APT25GP120BDQ1G 数据手册 >

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      - 防静电包装
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      - 开盖检查
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      - 电气测试
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      - 电气测试
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      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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