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SPD07N20GBTMA1 数据手册PDF
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SPD07N20GBTMA1 数据手册 Datasheet - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装:
TO-252-3
描述:
DPAK N-CH 200V 7A
文档:
SPD07N20GBTMA1 数据手册 (10 页)
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封装外形尺寸
在
9页
SPD07N20GBTMA1 产品设计参考 (270 页)
SPD07N20GBTMA1 应用笔记 (37 页)
更新时间: 2024/05/29 21:15:25 (UTC+8)
SPD07N20GBTMA1 数据手册PDF (10 页)
1
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2
电气特性
3
电气特性
4
电气特性
5
6
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SPD07N20GBTMA1 文档
SPD07N20GBTMA1 数据手册
Infineon
10 页, 611 KB
SPD07N20GBTMA1 产品设计参考
Infineon
270 页, 11877 KB
SPD07N20GBTMA1 其它数据手册
Infineon
30 页, 664 KB
SPD07N20GBTMA1 应用笔记
Infineon
37 页, 2068 KB
SPD07N20 数据手册PDF
SPD07N20
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Infineon
DPAK N-CH 200V 7A
SPD07N20
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Siemens Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SPD07N20
GBTMA1
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DPAK N-CH 200V 7A
SPD07N20
G
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Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3Pin TO-252 T/R
SPD07N20
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SPD07N20
_08
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SIPMOSÃ Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated
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