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SIHB33N60E-GE3
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SIHB33N60E-GE3 数据手册 Datasheet - Vishay Semiconductor

  • 制造商:
    Vishay Semiconductor
  • 分类:
    中高压,MOS管
  • 封装:
    TO-263-3
  • 描述:
    VISHAY SIHB33N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 33A, 600V, 0.083Ω, 10V, 2V
  • 文档:
更新时间: 2023/11/28 04:53:42 (UTC+8)
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SIHB33N60E-GE3 文档

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Vishay Semiconductor
2 页, 115 KB
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Vishay Semiconductor
3 页, 99 KB

SIHB33N60 数据手册PDF

SIHB33N60E-GE3
数据手册
VISHAY
D2PAK N-CH 600V 33A
SIHB33N60EF-GE3
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TO-252-3 N-CH 600V 33A 98mΩ
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其它数据手册
Vishay Semiconductor
VISHAY SIHB33N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 33A, 600V, 0.083Ω, 10V, 2V
SIHB33N60EF-GE3
产品设计参考
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
SIHB33N60EF-GE3
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Vishay Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
SIHB33N60ET1-GE3
数据手册
Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3Pin D2PAK T/R
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