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SI9945BDY-T1-GE3
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SI9945BDY-T1-GE3 数据手册 Datasheet - Vishay Siliconix

  • 制造商:
    Vishay Siliconix
  • 分类:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 封装:
    SOIC-8
  • 描述:
    MOSFET; Dual N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 46mohm; Id 5.3; SO-8; Pd 3.1W
  • 文档:
    封装外形尺寸  在 7页 8页
    型号规则信息  在 1页
更新时间: 2025/06/08 20:48:27 (UTC+8)
SI9945BDY-T1-GE3 数据手册PDF (9 页)
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SI9945BDY-T1-GE3 文档

SI9945BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
9 页, 214 KB
SI9945BDY-T1-GE3 其它数据手册
Vishay Siliconix
10 页, 269 KB

SI9945BDYT1 数据手册PDF

SI9945BDY-T1-GE3
数据手册
VISHAY
SOIC-8 Dual N 60V 4.3A 58mΩ
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Vishay Siliconix
MOSFET; Dual N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 46mohm; Id 5.3; SO-8; Pd 3.1W
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.3A; 3.1W; SO8
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Vishay Semiconductor
MOSFET, Dual N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 5.3, SO-8, Pd 3.1W
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