SGD02N60 数据手册 Datasheet - Siemens Semiconductor

制造商：
Siemens Semiconductor
描述：
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
文档：

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更新时间： 2024/05/31 01:03:13 (UTC+8)

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SGD02N60 数据手册

Siemens Semiconductor

12 页, 354 KB

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) TO-252

Feeling

IGBT 600V 6A 30W TO252-3

Siemens Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA

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