MRFE6VS25LR5

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MRFE6VS25LR5 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
NI-360
描述：
RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1791
文档：

MRFE6VS25LR5 产品设计参考 (48 页) Hot

MRFE6VS25LR5 应用笔记 (27 页)

更新时间： 2023/12/02 23:14:05 (UTC+8)

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2

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3

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4

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5

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6

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