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LM5113LLPEVB/NOPB 数据手册 Datasheet - TI

制造商：
TI
分类：
开发板
描述：
LM5113 100V 1.2A / 5A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
文档：

LM5113LLPEVB/NOPB 数据手册 (30 页)

引脚定义在 3页 Hot

封装外形尺寸在 20页 21页 23页 24页 25页

LM5113LLPEVB/NOPB 产品设计参考 (14 页)

LM5113LLPEVB/NOPB 应用笔记 (15 页)

更新时间： 2023/12/02 23:05:04 (UTC+8)

LM5113LLPEVB/NOPB 数据手册PDF (30 页)

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LM5113LLPEVB/NOPB 文档

LM5113LLPEVB/NOPB 数据手册

30 页, 2052 KB

LM5113LLPEVB/NOPB 产品设计参考

14 页, 593 KB

LM5113LLPEVB/NOPB 其它数据手册

1 页, 84 KB

LM5113LLPEVB/NOPB 应用笔记

15 页, 385 KB

100V 1.2A / 5A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

100V 1.2A / 5A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 10-WSON -40℃ to 125℃

MOSFET DRVR 5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 10Pin LLP EP T/R

Driver 5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 12Pin DSBGA T/R

LM5113 100V 1.2A / 5A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module

Driver 5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 12Pin DSBGA T/R

5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 10-WSON -40℃ to 125℃

Automotive, 100V 1.2A / 5A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 10-WSON -40℃ to 125℃

National Semiconductor

5A, 100V Half-bridge Gate Driver For Enhancement Mode Gan Fets

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