IRLD024PBF 数据手册 Datasheet - Vishay Intertechnology

制造商：
Vishay Intertechnology
封装：
DIP
描述：
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.1Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4
文档：

IRLD024PBF 数据手册 (9 页) Hot

更新时间： 2023/11/28 03:30:20 (UTC+8)

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IRLD024PBF 数据手册

Vishay Intertechnology

9 页, 1694 KB

International Rectifier

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

VISHAY

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

Vishay Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

IRF

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.1Ω, Id=2.5A)

VISHAY

HVMDIP-4 N-CH 60V 2.5A 100mΩ

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

Vishay Semiconductor

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.1Ω; ID 2.5A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-10V; Qg 18

International Rectifier

Transistor MOSFET N Channel 60V 2.5A 4Pin HexDIP

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.1Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4

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