IRL6372TRPBF

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IRL6372TRPBF 数据手册 Datasheet - Infineon

制造商：
Infineon
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
SOIC-8
描述：
SOIC N-CH 30V 8.1A
文档：

IRL6372TRPBF 数据手册 (8 页) Hot

封装外形尺寸在 7页

IRL6372TRPBF 产品设计参考 (270 页)

IRL6372TRPBF 应用笔记 (37 页)

更新时间： 2024/05/29 01:49:00 (UTC+8)

IRL6372TRPBF 数据手册PDF (8 页)

1

IRL6372TRPBF 数据规格书 1

2

IRL6372TRPBF 数据规格书 2

3

IRL6372TRPBF 数据规格书 3

4

IRL6372TRPBF 数据规格书 4

5

IRL6372TRPBF 数据规格书 5

6

IRL6372TRPBF 数据规格书 6

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IRL6372TRPBF 文档

IRL6372TRPBF 数据手册

Infineon

8 页, 273 KB

IRL6372TRPBF 产品设计参考

Infineon

270 页, 11877 KB

IRL6372TRPBF 其它数据手册

Infineon

27 页, 318 KB

IRL6372TRPBF 产品设计图

Infineon

2 页, 176 KB

IRL6372TRPBF 应用笔记

Infineon

37 页, 2068 KB

IRL6372TRPBF 产品封装文件

Infineon

5 页, 329 KB

IRL6372TRPBF 产品修订记录

Infineon

3 页, 144 KB

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IRL6372
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30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package

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International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8Pin SOIC T/R

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