Datasheet
数据手册 > MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET > 威世 > IRFD123PBF 数据手册PDF

IRFD123PBF 数据手册 Datasheet - VISHAY

  • 制造商:
    VISHAY
  • 分类:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 封装:
    DIP-4
  • 描述:
    HVMDIP-4 N-CH 200V 600mA 270Ω
  • 文档:
    封装外形尺寸  在 8页
    型号规则信息  在 1页
更新时间: 2024/02/21 00:21:28 (UTC+8)
IRFD123PBF 数据手册PDF (9 页)
点击页面查看数据手册详情

IRFD123PBF 文档

IRFD123PBF 数据手册
VISHAY
9 页, 1832 KB
IRFD123PBF 其它数据手册
VISHAY
10 页, 310 KB

IRFD123 数据手册PDF

IRFD123
数据手册
Harris
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.4Ω, N-Channel Power MOSFETs
IRFD123
数据手册
Vishay Siliconix
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFD123
数据手册
Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4Pin HVMDIP
IRFD123
数据手册
International Rectifier
Power MOSFET
IRFD123PBF
数据手册
VISHAY
HVMDIP-4 N-CH 200V 600mA 270Ω
IRFD123PBF
数据手册
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
IRFD123PBF
数据手册
Vishay Semiconductor
VISHAY IRFD123PBF MOSFET Transistor, N Channel, 1.3A, 100V, 270mohm, 10V, 2V
IRFD123PBF
其它数据手册
International Rectifier
Datasheet 搜索
搜索
百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册,每天更新超过5,000个PDF文件。
在线联系我们
黄经理 - 百芯智造销售经理在线,5 分钟前
您的邮箱 *
消息 *
发送