IRF8302M

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IRF8302M 数据手册 Datasheet - Infineon

制造商：
Infineon
封装：
DirectFET MX
描述：
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 31 amperes optimized with low on resistance.
文档：

IRF8302M 产品设计参考 (264 页)

IRF8302M 应用笔记 (37 页)

更新时间： 2024/05/30 23:42:22 (UTC+8)

IRF8302M 数据手册PDF (264 页)

1

IRF8302M 数据规格书 1

2

IRF8302M 数据规格书 2

3

IRF8302M 数据规格书 3

4

IRF8302M 数据规格书 4

5

IRF8302M 数据规格书 5

6

IRF8302M 数据规格书 6

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IRF8302M 文档

IRF8302M 产品设计参考

Infineon

264 页, 22893 KB

IRF8302M 其它数据手册

Infineon

44 页, 3786 KB

IRF8302M 应用笔记

Infineon

37 页, 2068 KB

IRF8302 数据手册PDF

IRF8302MTRPBF
数据手册

Infineon

Direct-FET N-CH 30V 31A

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Infineon

Direct-FET N-CH 30V 31A

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International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7Pin Direct-FET MX T/R

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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 31 amperes optimized with low on resistance.

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