IRF7389PBF-1 数据手册 Datasheet - Infineon

制造商：
Infineon
封装：
SO-8
描述：
30V 1N-1P Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
文档：

IRF7389PBF-1 数据手册 (10 页) Hot

封装外形尺寸在 9页

IRF7389PBF-1 产品设计参考 (270 页)

IRF7389PBF-1 应用笔记 (12 页)

更新时间： 2023/11/24 17:23:54 (UTC+8)

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IRF7389
数据手册

International Rectifier

N,P채널 HEXFET, Vd = 30V, Rds = 0.029Ω, Id = 7.3A, Vd = -30V, Rds = 0.058Ω, Id = -5.3A, SOIC8 패키지

IRF7389
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Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389
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HEXFET Power MOSFET

IRF7389TRPBF
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Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389PBF
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Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

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International Rectifier

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SOIC T/R

IRF7389PBF
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International Rectifier

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SOIC Tube

IRF7389TR
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Infineon

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

IRF7389TR
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International Rectifier

MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

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