IRF630NPBF

百芯智造的价格

IRF630NPBF 数据手册 Datasheet - International Rectifier

制造商：
International Rectifier
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
TO-220-3
描述：
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.3Ω; ID 9.3A; TO-220AB; PD 82W; VGS +/-20V
文档：

IRF630NPBF 数据手册 (8 页) Hot

封装外形尺寸在 7页

更新时间： 2025/06/08 11:25:32 (UTC+8)

IRF630NPBF 数据手册PDF (3 页)

1

IRF630NPBF 数据规格书 1

2

IRF630NPBF 数据规格书 2

3

IRF630NPBF 数据规格书 3

点击页面查看数据手册详情

点击重新加载修复错误页面>

IRF630NPBF 文档

IRF630NPBF 数据手册

International Rectifier

8 页, 642 KB

IRF630NPBF 其它数据手册

International Rectifier

20 页, 2663 KB

IRF630NPBF 产品修订记录

International Rectifier

3 页, 45 KB

IRF630 数据手册PDF

IRF630
数据手册

ST Microelectronics

N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET

IRF630
数据手册

VISHAY

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

IRF630
数据手册

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin TO-220AB

IRF630
数据手册

Vishay Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

IRF630
数据手册

Intersil

9A, 200V, 0.4Ω, N-Channel Power MOSFETs

IRF630
数据手册

International Rectifier

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

IRF630
数据手册

Harris

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF630
数据手册

ON Semiconductor

IRF630

IRF630
数据手册

Vishay Siliconix

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRF630
数据手册

NXP

9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

Datasheet 搜索

搜索

百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册，每天更新超过5,000个PDF文件。

相关文档： IRF630 数据手册

热门搜索

在线联系我们

Web Analytics