IRF630

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IRF630 数据手册 Datasheet - Harris

制造商：
Harris
描述：
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
文档：

IRF630 数据手册 (14 页) Hot

封装外形尺寸在 10页 11页 12页

更新时间： 2024/03/30 06:10:45 (UTC+8)

IRF630 数据手册PDF (14 页)

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IRF630 文档

IRF630 数据手册

Harris

14 页, 333 KB

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